IXFN70N60Q2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN70N120SK IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
IXFN70N60 IXYS Módulos IGBT 2622
IXFN70N6002 IXYS Módulos IGBT 2591
IXFN70N600L IXYS Módulos IGBT 2538
IXFN72N55Q IXYS Módulos IGBT 2732
IXFN72N55Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2995
IXFN73N20 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2880
IXFN73N28 IXYS Módulos IGBT 2716
IXFN73N29 IXYS Módulos IGBT 2841
IXFN73N30 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2758

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