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IXFN66N50Q2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 735W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 199nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A
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Otros incluyen   "IXFN6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFN6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN60GT60JRDX APT Módulos IGBT 2982
IXFN60N50L2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2783
IXFN60N60 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2867
IXFN60N80 IXYS Módulos IGBT 2986
IXFN60N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1231
IXFN61N50 IXYS Módulos IGBT 2897
IXFN61N60 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2991
IXFN62N80Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2967
IXFN64N20 IXYS Módulos IGBT 2862
IXFN64N50 IXYS Módulos IGBT 2711

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IXFN66N50Q2 fabricantes de marca: IXYS Corporation, Bonchip existencias, IXFN66N50Q2 precio de referencia. IXFN66N50Q2 parámetros, IXFN66N50Q2 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el IXFN66N50Q2 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar IXFN66N50Q2 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, IXFN66N50Q2 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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