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IXFN32N80P
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IXFN32N80P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227B
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 16A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8820pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHV™ |
Power Dissipation (Max) | 625W (Tc) |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Mounting Type | Chassis Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFN3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFN3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFN300N10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2939 |
IXFN300N20X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2756 |
IXFN30N110 | IXYS | Módulos IGBT | 2508 |
IXFN30N110P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2761 |
IXFN30N120 | IXYS | Módulos IGBT | 2605 |
IXFN30N120P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2889 |
IXFN30N120Q3 | IXYS | Módulos IGBT | 2720 |
IXFN30N50 | IXYS | Módulos IGBT | 2862 |
IXFN320N17T2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2942 |
IXFN320N60DA3 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2828 |
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