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IXFN32N120P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 21000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 1000W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 32A
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IXFN32N120P Documentos

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Otros incluyen   "IXFN3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFN3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN300N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2939
IXFN300N20X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2756
IXFN30N110 IXYS Módulos IGBT 2508
IXFN30N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
IXFN30N120 IXYS Módulos IGBT 2605
IXFN30N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2889
IXFN30N120Q3 IXYS Módulos IGBT 2720
IXFN30N50 IXYS Módulos IGBT 2862
IXFN320N17T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2942
IXFN320N60DA3 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2828

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