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IXFN26N100P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 390 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Polar™
Power Dissipation (Max) 595W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 23A
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Otros incluyen   "IXFN2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFN2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN200N06 IXYS Módulos IGBT 2706
IXFN200N07 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2857
IXFN200N10L2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2868
IXFN200N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2268
IXFN20N120 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2889
IXFN20N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2929
IXFN20N120P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFN20N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2979
IXFN210N20P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2774
IXFN210N30P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2720

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