IXFN24N90Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V 24A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package SOT-227B
Power Dissipation (Max) -
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN200N06 IXYS Módulos IGBT 2706
IXFN200N07 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2857
IXFN200N10L2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2868
IXFN200N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2268
IXFN20N120 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2889
IXFN20N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2929
IXFN20N120P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFN20N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2979
IXFN210N20P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2774
IXFN210N30P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2720

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