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IXFN150N10 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 360nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 150A
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Otros incluyen   "IXFN1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFN1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFN10050P IXYS Módulos IGBT 5356
IXFN100N10 IXYS Módulos IGBT 2984
IXFN100N10S1 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2752
IXFN100N10S2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2711
IXFN100N10S3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2898
IXFN100N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1258
IXFN100N25 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2994
IXFN100N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2799
IXFN100N50Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2912
IXFN100N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2796

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