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IXFM35N30
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IXFM35N30 Especificaciones técnicas
POWER MOSFET TO-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 300V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-204AE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 17.5A, 10V |
Package / Case | TO-204AE |
Mounting Type | Through Hole |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
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