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IXFL30N120P
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IXFL30N120P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Supplier Device Package | ISOPLUSi5-Pak™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 19000pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, PolarP2™ |
Power Dissipation (Max) | 357W (Tc) |
Package / Case | ISOPLUSi5-Pak™ |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 310nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFL3" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFL3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFL32N120P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2567 |
IXFL34N100 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2758 |
IXFL34N100 | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXFL38N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2562 |
IXFL38N100Q2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2771 |
IXFL39N90 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2580 |
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