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IXFK66N85X Especificaciones técnicas

850V/66A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1250W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 230nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 850V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-264
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
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IXFK66N85X Documentos

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Otros incluyen   "IXFK6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFK6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK60N25 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2914
IXFK60N25Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2703
IXFK60N55Q IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2973
IXFK60N55Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2859
IXFK62N25 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2976
IXFK64N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2202
IXFK64N50Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4784
IXFK64N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2784
IXFK64N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3555
IXFK64N60Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4222

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