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IXFK55N50F Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 55A TO264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerRF™
Power Dissipation (Max) 560W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-264 (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 27.5A, 10V
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 195nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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IXFK55N50F Documentos

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Otros incluyen   "IXFK5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFK5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK50N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2792
IXFK50N85X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5417
IXFK520N075T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4543
IXFK520N075T2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK52N30 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2908
IXFK52N30Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2788
IXFK52N60Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2817
IXFK55N45 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4784
IXFK55N48 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2721
IXFK55N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2755

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