IXFK48N55 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 550V 48A TO-264AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 24A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 550V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 560W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 48A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFK400N15X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2571
IXFK40N50Q2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2826
IXFK40N60 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2970
IXFK40N90P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 350
IXFK40N90P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK420N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2579
IXFK420N10T IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFK43N60 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2843
IXFK44N50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2905
IXFK44N50F IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2997

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