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IXFJ40N30Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 300V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-268
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 20A, 10V
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 200nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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IXFJ40N30 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2563

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