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IXFH86N30T
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IXFH86N30T Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 300V 86A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 43A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11300pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™, TrenchT2™ |
Power Dissipation (Max) | 860W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 86A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFH8" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFH8'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFH80N06 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2556 |
IXFH80N08 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3567 |
IXFH80N085 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2799 |
IXFH80N10 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2902 |
IXFH80N10Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10340 |
IXFH80N15Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2962 |
IXFH80N20 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 32365 |
IXFH80N20Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2770 |
IXFH80N25X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2684 |
IXFH80N30P3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2652 |
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