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IXFH80N65X2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 40A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8245pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH80N06 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2556
IXFH80N08 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3567
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IXFH80N10 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2902
IXFH80N10Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10340
IXFH80N15Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2962
IXFH80N20 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 32365
IXFH80N20Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2770
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