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IXFH7N100P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2590pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 7A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
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IXFH7N100P Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFH7N100P

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Las siguientes partes incluyen  'IXFH7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH70N10 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 15
IXFH70N15 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2363
IXFH70N20Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2731
IXFH70N20Q3 CMH82N25 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 475
IXFH70N30Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2783
IXFH72N30X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2755
IXFH74N10 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4222
IXFH74N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
IXFH74N20P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2908
IXFH75N10 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2880

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