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IXFH58N20 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 58A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFH5"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFH5' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH50N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2357
IXFH50N20 CMH82N25 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 319
IXFH50N20Q IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4543
IXFH50N30Q IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2922
IXFH50N30Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5555
IXFH50N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3859
IXFH50N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2689
IXFH50N60X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
IXFH50N85X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4322
IXFH52N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32721

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