IXFH56N30X3 Especificaciones técnicas

300V/56A ULTRA JUNCTION X3-CLASS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.5mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 320W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 56A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 28A, 10V
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 24 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3.75nF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 300V 56A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH50N20 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2357
IXFH50N20 CMH82N25 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 319
IXFH50N20Q IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4543
IXFH50N30Q IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2922
IXFH50N30Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5555
IXFH50N50P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3859
IXFH50N60P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2689
IXFH50N60X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
IXFH50N85X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4322
IXFH52N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32721

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