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IXFH4N100Q Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFH4"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH400N075T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2739
IXFH400N075T2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFH40N20 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2804
IXFH40N30 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1274
IXFH40N30Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5257
IXFH40N30Q IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFH40N30Q MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 685
IXFH40N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5425
IXFH40N50Q2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2854
IXFH40N60 IXYS CIs Calientes Especializados 594

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