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IXFH18N90P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH TO-247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, PolarP2™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 97nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AD (IXFH)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5230pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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IXFH18N90P Documentos

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Otros incluyen   "IXFH1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFH1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFH100N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2218
IXFH100N30X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2708
IXFH102N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5607
IXFH10N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
IXFH10N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5653
IXFH10N100Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2668
IXFH10N60 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2895
IXFH10N65 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2993
IXFH10N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2643
IXFH10N80P IXYS Transistores MOSFET individuales

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