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IXFH18N60X
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IXFH18N60X Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Supplier Device Package | TO-247 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230 mOhm @ 9A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerFET™ |
Power Dissipation (Max) | 320W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFH1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFH1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFH100N25P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2218 |
IXFH100N30X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2708 |
IXFH102N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5607 |
IXFH10N100 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2782 |
IXFH10N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5653 |
IXFH10N100Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2668 |
IXFH10N60 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2895 |
IXFH10N65 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2993 |
IXFH10N80P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2643 |
IXFH10N80P | IXYS | Transistores MOSFET individuales |
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