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IXFH12N50F
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IXFH12N50F Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HiPerRF™ |
Power Dissipation (Max) | 180W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1870pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-247 (IXFH) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXFH12N50F
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXFH1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXFH1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXFH100N25P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2218 |
IXFH100N30X3 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2708 |
IXFH102N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5607 |
IXFH10N100 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2782 |
IXFH10N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5653 |
IXFH10N100Q | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2668 |
IXFH10N60 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2895 |
IXFH10N65 | IXYS Corporation | CIs Calientes Especializados | 2993 |
IXFH10N80P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2643 |
IXFH10N80P | IXYS | Transistores MOSFET individuales |
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