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IXFE44N60 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package SOT-227B
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 22A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 41A
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Otros incluyen   "IXFE4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFE4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFE44N50 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2964
IXFE44N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2769
IXFE44N50QD2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2852
IXFE44N50QD3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2956
IXFE48N50 IXYS Módulos IGBT 2751
IXFE48N50Q IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2885
IXFE48N50QD2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2873
IXFE48N50QD3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2710

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