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IXFB40N110Q3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 1560W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1100V (1.1kV)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PLUS264™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 260 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 40A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFB4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFB4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFB40N110P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
IXFB44N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2942
IXFB44N100P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXFB44N100Q3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1372
IXFB44N90Q2 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2836

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