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IXFA30N60X Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 30A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package TO-263
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2270pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Otros incluyen   "IXFA3"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXFA3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXFA30N25X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2507
IXFA34N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2578
IXFA34N65X2 MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 474
IXFA36N20X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2549
IXFA36N30P3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2742
IXFA38N30X3 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 30
IXFA3N120 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 552
IXFA3N120TRL IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
IXFA3N80 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2775

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