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IXDA20N120AS-TUBE Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 38A 200W TO263AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 600V, 20A, 82 Ohm, 15V
Switching Energy 3.1mJ (on), 2.4mJ (off)
Power - Max 200W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-263
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 70nC
Current - Collector (Ic) (Max) 38A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXDA20N120AS IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2620
IXDA20N120AS IXYS IGBTs individuales
IXDA20N120AS-TUB IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2624
IXDA20N120AS-TUB IXYS IGBTs individuales
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