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IXBX50N360HV Especificaciones técnicas

IGBT 3600V 125A 660W TO-247PLUS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3600V
Test Condition 960V, 50A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy -
Series BIMOSFET™
Power - Max 660W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 420A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 46ns/205ns
Supplier Device Package TO-247-3
Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 210nC
Current - Collector (Ic) (Max) 125A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXBX50N360HV IXYS IGBTs individuales
IXBX55N300 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2571
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