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IXBT42N170 Especificaciones técnicas

IGBT 1700V 80A 360W TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Test Condition -
Switching Energy -
Series BIMOSFET™
Power - Max 360W
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 300A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 42A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-268
Reverse Recovery Time (trr) 1.32µs
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 188nC
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXBT42N170 IXYS IGBTs individuales
IXBT42N170-TRL IXYS IGBTs individuales
IXBT42N170A IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2774
IXBT42N170A IXYS IGBTs individuales
IXBT42N300HV IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2535
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