IXBH42N170A Especificaciones técnicas

IGBT 1700V 42A 357W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Test Condition 850V, 21A, 1 Ohm, 15V
Switching Energy 3.43mJ (on), 430µJ (off)
Series BIMOSFET™
Power - Max 357W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 265A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 21A
Td (on/off) @ 25°C 19ns/200ns
Supplier Device Package TO-247AD (IXBH)
Reverse Recovery Time (trr) 330ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 188nC
Current - Collector (Ic) (Max) 42A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXBH40N140 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 2976
IXBH40N160 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2736
IXBH40N160 IXYS IGBTs individuales
IXBH42N170 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Individual 2955
IXBH42N170 IXYS IGBTs individuales
IXBH42N170A IXYS IGBTs individuales
IXBH42N250 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 4322
IXBH42N250 IXYS IGBTs individuales
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