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FII30-12E Especificaciones técnicas

IGBT PHASE TOP ISOPLUS I4-PAC-5

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Matrices
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package ISOPLUS i4-PAC™
Package / Case i4-Pac™-5
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.2nF @ 25V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 33A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 20A
Power - Max 150W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 200µA
Configuration Half Bridge
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FII30-06D IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Matrices 2535
FII30-06D IXYS Matrices de transistores IGBT
FII30-12D IXYS Módulos IGBT 2593
FII30-12E IXYS Matrices de transistores IGBT

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