IS61DDB24M18A-250M3L Especificaciones técnicas

IC SRAM 72M PARALLEL 250MHZ

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page -
Technology SRAM - Synchronous, DDR II
Packaging Tray
Operating Temperature 0°C ~ 70°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 72Mb (4M x 18)
Memory Format SRAM
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 250MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.71 V ~ 1.89 V
Supplier Device Package 165-LFBGA (15x17)
Package / Case 165-LBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 14 Weeks
Detailed Description SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 72Mb (4M x 18) Parallel 250MHz 165-LFBGA (15x17)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IS61DDB21M18A-300B4L ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2632
IS61DDB21M18A-300M3L ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2581
IS61DDB21M18C-250M3L ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2620
IS61DDB21M36-250M3 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2660
IS61DDB21M36-250M3L ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2534
IS61DDB21M36-275M3 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2758
IS61DDB21M36A-250M3L ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2697
IS61DDB21M36C-250M3L ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2541
IS61DDB21M36C-300M3 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2594
IS61DDB21M36C-300M3L ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2709

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