IS43R16320D-6BI-TR Especificaciones técnicas

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Technology SDRAM - DDR
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 512M (32M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR Memory IC 512M (32M x 16) Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA (13x8)
Access Time 700ps
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 2.3 V ~ 2.7 V
Supplier Device Package 60-TFBGA (13x8)
Package / Case 60-TFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Clock Frequency 166MHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IS43R16160B ISSI CIs Calientes Especializados 669
IS43R16160B-5BLI ISSI CIs Calientes Especializados 2029
IS43R16160B-5TL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) CIs Calientes Especializados 70
IS43R16160B-5TL IC ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) CIs Calientes Especializados 519
IS43R16160B-5TL-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2601
IS43R16160B-5TLI ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 5344
IS43R16160B-5TLI IC ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) CIs Calientes Especializados 1062
IS43R16160B-5TLI-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2796
IS43R16160B-6BI ISSI CIs Calientes Especializados 2734
IS43R16160B-6BLI ISSI CIs Calientes Especializados 908

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