IS43DR16640C-3DBI Especificaciones técnicas

IC DRAM 1G PARALLEL 333MHZ

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Technology SDRAM - DDR2
RoHS Status RoHS Compliant
Package / Case 84-TFBGA
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Clock Frequency 333MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 1.7 V ~ 1.9 V
Supplier Device Package 84-TFBGA (12.5x8)
Packaging Tray
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 1Gb (64M x 16)
Memory Format DRAM
Detailed Description SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 333MHz 450ns 84-TFBGA (12.5x8)
Access Time 450ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IS43DR16128-3DBL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) CIs Calientes Especializados 20
IS43DR16128-3DBLI ISSI CIs Calientes Especializados 2362
IS43DR16128A-3DBL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2330
IS43DR16128A-3DBL-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2790
IS43DR16128A-3DBLI ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2363
IS43DR16128A-3DBLI-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2636
IS43DR16128B-25EBL ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2665
IS43DR16128B-25EBL-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2505
IS43DR16128B-25EBLI ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2575
IS43DR16128B-25EBLI-TR ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) Memoria 2580

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