7007S35JI Especificaciones técnicas

IC SRAM 256K PARALLEL 68PLCC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Circuitos Integrados (ICs) / Memoria
Manufacturer IDT (Integrated Device Technology)
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 35ns
Technology SRAM - Dual Port, Asynchronous
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Memory Size 256Kb (32K x 8)
Memory Format SRAM
Detailed Description SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 35ns 68-PLCC (24.21x24.21)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 4.5 V ~ 5.5 V
Supplier Device Package 68-PLCC (24.21x24.21)
Package / Case 68-LCC (J-Lead)
Mounting Type Surface Mount
Memory Type Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Access Time 35ns
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
7007S15J IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2524
7007S15J8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2724
7007S15PF IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2680
7007S15PF8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2768
7007S20G IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2597
7007S20J IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2630
7007S20J8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2526
7007S20JI IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2541
7007S20JI8 IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2593
7007S20PF IDT (Integrated Device Technology) Memoria 2574

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