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HTNFET-D
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HTNFET-D Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
Supplier Device Package | 8-CDIP-EP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HTMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tj) |
Package / Case | 8-CDIP Exposed Pad |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'HTNFE'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
HTNFET-DC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2547 |
HTNFET-T | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2672 |
HTNFET-TC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2779 |
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