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NGB8207BNT4G Especificaciones técnicas

IGBT 365V 20A 165W D2PAK3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Hamlin / Littelfuse
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 365V
Test Condition -
Switching Energy -
Power - Max 165W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 20A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 4V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Logic
Current - Collector Pulsed (Icm) 50A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NGB8202ANT4G Hamlin / Littelfuse Transistores - IGBTs - Individual 189294
NGB8202ANT4G Littelfuse Inc. IGBTs individuales
NGB8202ANTF4G Hamlin / Littelfuse Transistores - IGBTs - Individual 5924
NGB8202ANTF4G Littelfuse Inc. IGBTs individuales
NGB8202ANTF4G IC ON/LITTELFUSE CIs Calientes Especializados 5840
NGB8202N AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 609
NGB8202NT4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 20000
NGB8202NT4 ON Semiconductor IGBTs individuales
NGB8202NT4 Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
NGB8202NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 532

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