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GP2M010A065H Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 198W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 820 mOhm @ 4.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
GP2M002A060CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2648
GP2M002A060FG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2780
GP2M002A060HG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2777
GP2M002A060PG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2627
GP2M002A065CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
GP2M002A065FG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2541
GP2M002A065HG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2538
GP2M002A065PG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
GP2M004A060CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2688
GP2M004A060FG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2714

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