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GP2M005A060FG Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Power Dissipation (Max) 32.8W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 Ohm @ 2.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 658pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
GP2M002A060CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2648
GP2M002A060FG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2780
GP2M002A060HG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2777
GP2M002A060PG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2627
GP2M002A065CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
GP2M002A065FG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2541
GP2M002A065HG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2538
GP2M002A065PG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2707
GP2M004A060CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2688
GP2M004A060FG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2714

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