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GP1M011A050HS Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 10A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220
Power Dissipation (Max) 158W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1546pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
GP1M003A040CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2670
GP1M003A040PG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2526
GP1M003A050CG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
GP1M003A050FG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2590
GP1M003A050HG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2682
GP1M003A050PG Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
GP1M003A080CH Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
GP1M003A080FH Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
GP1M003A080H Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2666
GP1M003A080PH Global Power Technologies Group Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2579

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