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MURTA20060R Especificaciones técnicas

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 100A
Supplier Device Package Three Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Package / Case Three Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MURTA200120 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2528
MURTA200120R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2640
MURTA20020 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2541
MURTA20020R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2647
MURTA20040 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2625
MURTA20040R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2786
MURTA20060 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2581
MURTA300120 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2763
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