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MURT40060 Especificaciones técnicas

DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 200A
Supplier Device Package Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) 240ns
Package / Case Three Tower
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 400A (DC)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MURT40005 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2607
MURT40005R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2726
MURT40010 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2726
MURT40010R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2711
MURT40020 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2777
MURT40020R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2763
MURT40040 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2776
MURT40040R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2552
MURT40060R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2696

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