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MURT30010R Especificaciones técnicas

DIODE MODULE 100V 300A 3TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 150A
Supplier Device Package Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) 100ns
Package / Case Three Tower
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A (DC)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MURT30005 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2702
MURT30005R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2747
MURT30010 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2738
MURT30020 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2573
MURT30020R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2786
MURT30040 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2708
MURT30040R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2682
MURT30060 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2533
MURT30060R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2713

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