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MURT20060 Especificaciones técnicas

DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 100A
Supplier Device Package Three Tower
Reverse Recovery Time (trr) 160ns
Package / Case Three Tower
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A (DC)
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Las siguientes partes incluyen  'MURT2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MURT20005 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2768
MURT20005R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2783
MURT20010 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2595
MURT20010R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2639
MURT20020 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2532
MURT20020R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2657
MURT20040 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2578
MURT20040R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2545
MURT20060R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2694

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