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MUR10005CTR Especificaciones técnicas

DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 50A
Supplier Device Package Twin Tower
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 100A (DC)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Reverse Leakage @ Vr 25µA @ 50V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUR100-6 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 1848
MUR10005 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2758
MUR10005CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2845
MUR10010 MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2953
MUR10010CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2931
MUR10010CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2663
MUR10015CT MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2796
MUR10020 IGBT Module Módulos IGBT 2786
MUR10020CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2841
MUR10020CT MUR20020CT MOTOROLA CIs Calientes Especializados 2850

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