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MBR60045CTRL Especificaciones técnicas

DIODE SCHOTTKY 45V 300A 2 TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 600mV @ 300A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 5mA @ 45V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 45V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2526
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MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2749
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