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MBR60030CT Especificaciones técnicas

DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 750mV @ 300A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 1mA @ 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MBR600100CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2803
MBR600100CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2719
MBR600150CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2646
MBR600150CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2526
MBR600200CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2582
MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2749
MBR60020CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2755
MBR60020CTL GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2623
MBR60020CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2523
MBR60020CTRL GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2576

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