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MBR40035CTRL Especificaciones técnicas

DIODE SCHOTTKY 35V 200A 2 TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 600mV @ 200A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 35V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 200A
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Las siguientes partes incluyen  'MBR40' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MBR400100 IGBT Module Módulos IGBT 2340
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 1418
MBR400100CTL ON Módulos IGBT 2772
MBR400100CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2712
MBR400100TC MOTORO Módulos IGBT 2686
MBR400150CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2500
MBR400150CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2778
MBR400200CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2766
MBR400200CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2559
MBR40020CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2704

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