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MBR30030CTRL Especificaciones técnicas

DIODE SCHOTTKY 30V 150A 2 TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 580mV @ 150A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 150A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MBR300/100CT IGBT Module Módulos IGBT 2853
MBR300100 IGBT Module Módulos IGBT 2990
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2792
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2715
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2645
MBR300150CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2523
MBR30020 MOTOROLA Módulos IGBT 2890
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2508
MBR300200CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2609
MBR30020CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2775

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