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MBR12035 CTR Especificaciones técnicas

DIODE MODULE 35V 120A 2TOWER

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Matrices
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650mV @ 120A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 3mA @ 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 120A (DC)
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Las siguientes partes incluyen  'MBR12' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MBR120 KF CIs Calientes Especializados 120352
MBR120 X2 KF CIs Calientes Especializados 60000
MBR1200 PANJIT CIs Calientes Especializados 10266
MBR120100 MOTOROLA Módulos IGBT 2874
MBR120100CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2772
MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2571
MBR120100R MOTOROLA Módulos IGBT 2839
MBR120150CT GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2755
MBR120150CTR GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Matrices 2593
MBR120150WT Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions Diodos - Rectificadores - Matrices 2609

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