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GBPC3510T Especificaciones técnicas
DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores de Puente |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1000V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 35A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 17.5A |
Supplier Device Package | GBPC |
Package / Case | 4-Square, GBPC |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1000V |
GBPC3510T Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para GBPC3510T
-
Hojas de datos
GBPC3510T.pdf
Otros incluyen "GBPC3" partes
Las siguientes partes incluyen 'GBPC3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
GBPC35005 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores de Puente | 2787 |
GBPC35005 | Diodes Incorporated | Diodos - Rectificadores de Puente | 2696 |
GBPC35005 | Fairchild/ON Semiconductor | Diodos - Rectificadores de Puente | 2791 |
GBPC35005 | ON Semiconductor | Puentes Rectificadores | |
GBPC35005 T0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | Diodos - Rectificadores de Puente | 2778 |
GBPC35005 T0G | Taiwan Semiconductor Corporation | Puentes Rectificadores | |
GBPC35005-E4/1 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Diodos - Rectificadores de Puente | 2612 |
GBPC35005-E4/1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores de Puente | 2656 |
GBPC35005-E4/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Puentes Rectificadores | |
GBPC35005-E4/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Diodos - Rectificadores de Puente | 2634 |
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